光刻胶（又名光致抗蚀剂）是光刻材料中的关键品种，光刻胶是通过紫外光、电子束、准分子激光束、X 射
光刻胶（又名光致抗蚀剂）是光刻材料中的关键品种，光刻胶是通过紫外光、电子束、准分子激光束、X 射线、离子束等曝光源的照射或辐射，经光刻工艺将设计所需要的微细图形从掩模版上转移到待加工基片上的图形转移介质，主要使用在于集成电路芯片、半导体分立器件、发光二极管(LED)、平板显示(FPD)、晶圆级先进封装、MEMS、印刷电路板(PCB)以及其他涉及图形转移的制程。
按照化学反应和显影原理，光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶，按照应用领域则可划分为PCB 光刻胶、LCD 光刻胶以及半导体光刻胶。其中，半导体光刻胶技术壁垒最高，LCD光刻胶次之，PCB 光刻胶技术壁垒最低。根据曝光光源波长不同，半导体光刻胶可进一步分为g-Line 光刻胶、i-Line 光刻胶、KrF 光刻胶、ArF 光刻胶以及 EUV 光刻胶等。
受益于我国集成电路产业的快速发展以及产业链国产化进程，近年来我国半导体光刻胶产业实现了迅速增加。市场规模从 2019 年 27.8 亿元增长至 2023 年 64.2 亿元，年复合增长率达 23.3%，预计到 2028 年将进一步增长至 150.3 亿元，年复合增长率 18.5%，高于全球市场规模增速。在细分市场中，i-Line 光刻胶、KrF 光刻胶与 ArF 光刻胶是我国 12 英寸集成电路领域的主要光刻胶品种。
随着我国 12 英寸晶圆产能的持续提升，以及先进应用和技术节点持续提升与光刻技术和性能的稳步升级，KrF（248nm）光刻胶与 ArF（193nm）光刻胶由于技术上的含金量和售价高，实现了迅速增加，成为光刻胶市场增长的主要动力。其市场规模分别从 2019年的 9.9 亿元和 4.8 亿元增长至 2023 年的 21.5 和 15.2 亿元，预计到 2028 年，将进一步增长至 49.3 亿元和 57.6 亿元，合计占我国半导体光刻胶总市场的 71.12%。
半导体光刻胶是半导体制作的完整过程中关键的材料之一，其性能直接影响到芯片的制造质量和良率。光刻胶的开发和生产要深厚的技术积累与大量的研发投入，技术门槛较高。目前全球光刻胶市场主要由美国、日本企业占据，包括信越化学、东京应化（TOK）、日本合成橡胶（JSR）、富士胶片、杜邦等，这些国外企业占据了全球半导体光刻胶领域 90%以上的市场。
国内企业在半导体光刻胶领域起步较晚，与国外企业相比存在比较大差距。目前国内光刻胶企业大多分布在在低端 PCB 等领域，在高端的集成电路领域自给率较低。根据弗若斯特沙利文市场研究，在 12 英寸集成电路领域，i-Line 光刻胶国产化率 10%左右，KrF 光刻胶国产化率1-2%左右，ArF 光刻胶国产化率不足 1%。
2000—2010 年间，国内光刻胶企业仅仅北京科华和苏州瑞红2 家。2014 年《国家集成电路产业高质量发展推进纲要》发布，明白准确地提出要“开发光刻胶、大尺寸硅片等关键材料”。在国家政策的导向和扶持下，我国涌现出慢慢的变多的光刻胶企业，同时也有一大批上市公司开始涉足光刻胶业务。
总体来看，近年来国内企业在半导体光刻胶领域陆续取得一定进展，但受制于行业较高的研发和技术门槛，高端光刻胶原材料如树脂、光致产酸剂等被日美企业垄断，以及光刻设备依赖进口导致产品验证困难等因素，我国半导体光刻胶的国产化之路依然任重道远。
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